| М.С. Горбунов [и др.] | Экстрактор радиационно-чувствительных параметров BSIMSOI для симулятора SPECTRE | 131-132 |
| И.С. Васильевский [и др.] | Экспериментальное исследование высокополевого электронного транспорта в наноструктурах на основе арсенида галлия | 110 |
| Швецов-шиловский И.Н. | Идентификация параметров компонентных моделей систем схемотехнического проектирования | 133-134 |
| Шалтырев В.А. | Реализация интерфейса CLI c использованием ХЭШ-функций и конечных автоматов | 154-155 |
| Шагурин И.И. | Испытание на радиационную стойкость микроконтроллеров LPC2114 с архитектурой ARM7 | 150-151 |
| Филипенкова Е.В. | Моделирование паразитного биполярного транзистора в КНИ МОП структурах с помощью модели Гуммеля-Пуна | 202 |
| А.С. Бугаев [и др.] | Точное определение мольной доли In в слое InxGa1-xAs phemt наногетероструктур при МЛЭ с помощью снятия интенсивности осцилляций зеркального рефлекса ДБЭО | 106-107 |
| Тихонов Ю.Н. | Сетевое программное обеспечение коммуникационных контроллеров АСУ | 158-159 |
| Тараканов В.С. | Разработка блока прямого доступа в память для векторного вычислительного устройства в составе системы на основе ядра процессора ARM1176JZF-S | 172-173 |
| Р.П. Куйбеда [и др.] | Система имплантации ионных пучков для наноэлектроники | 102-103 |
| Седов С.Ю. | Кросс-платформенная разработка программного обеспечения в операционной системе FREEBSD | 198-199 |
| Седов С.Ю. | Использование открытого программного обеспечения в учебном процессе на кафедре микроэлектроники | 164-165 |
| Родионов А.А. | Управляющий контроллер для системы, реализующей функции декодера-демодулятора ЦТВ стандарта DVB-T | 166-167 |
| Л.В. Кацоев [и др.] | Разработка детекторных модулей, включающих собственно детекторы на основе GaAs и умножители потока электронов на основе микро- (нано-) структурированных алмазных пленок | 104-105 |
| Попов В.Д. | Использование ионизирующего излучения в качестве ускоряющего фактора при форсированных испытаниях МОП ИМС | 138-139 |
| Першенков В.С. | Влияние температуры на накопление поверхностных состояний в МДП-транзисторах при воздействии ионизирующего излучения и физика ELDRS эффекта | 127-128 |
| Пантелеев А.Ю. | Стековый процессор с изменяемым набором инструкций | 193-194 |
| Осипенко П.Н. | Применение архитектуры «сеть на кристалле» при построении сложно-функциональных СБИС | 152-153 |
| В.С. Анашин [и др.] | Нормативно-методическое и программное обеспечение центра для прямого испытания компонентов микроэлектроники на воздействие одиночных протонов и тяжелых заряженных частиц | 129-130 |
| Николаев И.А. | Устройство доступа к E1 каналам с функцией врезки канальных интервалов | 162-163 |
| Николаев И.А. | Построение конвертеров канального уровня на основе специализированных пакетных процессоров | 160-161 |
| Николаев И.А. | 2BASE-TL ETHERNET модем | 197 |
| Никифорова М.Ю. | Исследование рабочих характеристик нагревательного элемента интегрального датчика водорода | 121-122 |
| Никифорова А.А. | Разработка RTL модели системы на основе ядра процессора ARM1176JZF-S | 170-171 |
| Мьо Хейн Зо | Исследование процесса нанесения тонких полимерных пленок в поле центробежных сил на некруглых подложках для МЭМС применения | 115-116 |
| В.М. Макаров [и др.] | Метод оптимизационного синтеза резонаторных фильтров на ПАВ | 117-118 |
| Н.Н. Самотаев [и др.] | Металооксидный сенсорный элемент с повышенной селективностью к аммиаку | 119-120 |
| Масальский Н.В. | Исследование переключательных характеристик логических элементов на полностью обедненных КНИ нанотранзисторах | 190 |
| Мансурская Л.А. | iP-блок быстрого преобразования фурье | 195-196 |
| Макаревич А.Л. | Моделирование паразитных связей в подложках КМОП микросхем при воздействии импульсного гамма-излучения | 135 |
| Лебедев А.А. | Быстродействующий операционный усилитель, устойчивый к внешним воздействиям | 184-185 |
| Кушнерук Д.В. | Повышение чувствительности спектрометра ионной подвижности за счет оптимизации распределения заряда в камере ионизации | 188-189 |
| Колядин А.Н. | Оптимизация омических контактов к структуре ALGaN/GaN | 111 |
| Коваленко А.В. | Влияние электрических режимов МДП-транзисторного сенсорного элемента на характеристики интегрального датчика водорода | 123-124 |
| Ишутин И.О. | Программа экстракции параметров распределения вейбулла для аппроксимации экспериментальных данных по сечению одиночных сбоев элементов памяти от протонов и тяжелых ионов | 200-201 |
| М.Ю. Никифорова [и др.] | Исследование рабочих характеристик термосенсорного элемента интегрального датчика водорода | 125-126 |
| Ю.И. Бочаров [и др.] | Исследование архитектурных и схемных решений, направленных на снижение потребляемой мощности многоканальной ”системы-на-кристалле” для координатных детекторов | 174-175 |
| М.А. Булушева [и др.] | Изменение концентрации поверхностных состояний в структуре Si-SiO2 при длительном хранении | 191-192 |
| Зуев А.Л. | Позиционирование кристаллов при работе с FIB станцией | 148-149 |
| Зуев А.Л. | Методика измерения входной емкости заказного блока | 146-147 |
| Зебрев Г.И. | Монте-карло атомистические расчеты стохастических туннельных токов утечки через отдельные дефекты в ультратонких подзатворных окислах наноразмерных транзисторов | 113-114 |
| Зебрев Г.И. | Графен как перспективный материал для наноэлектроники | 112 |
| Долотов П.С. | Проектирование блока статического ОЗУ для сравнительного исследования характеристик усилителей чтения | 144-145 |
| Долотов П.С. | Выбор ячеек памяти для исследования стойкости к воздействию тяжелых заряженных частиц | 142-143 |
| А.С. Гуменюк [и др.] | Двухканальное устройство выборки-хранения для быстродействующего конвейерного АЦП | 178-179 |
| Данилов И.А. | Аналоговый ключ с мультитактной следящей вольтодобавкой | 182-183 |
| Головин А.В. | Модернизация ионного источника на основе коронного разряда и повышение чувствительности спектрометра ионной подвижности | 186-187 |
| Бочаров К.Ю. | Блок декодирования команд программируемого сложнофункционального (IP) блока цифровой обработки сигнала | 180-181 |
| Бондарев К.С. | Проблема совместимости правил проектирования микросхем и LVS проверки | 140-141 |
| Бобринецкий И.И. | Влияние параметров переменного электрического поля на состав, плотность и ориентацию углеродных нанотрубок при высаживании из растворов методом диэлектрофореза | 108-109 |
| Ю.И. Бочаров [и др.] | Аппаратно-программный комплекс для экспериментальных исследований и моделирования электрофизических процессов прохождения помех через вторичные источники питания РЭА | 176-177 |
ВКОНТАКТЕ 
Mendeley