Уважаемый Евгений!
По Вашему запросу найдена следующая информация:
1.
Садыкова, Э. З.
Роль мелких ловушек в термолюминесценции анионодефектного оксида алюминия [Текст] : автореферат диссертации на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук :01.04.07 / Э. З. Садыкова. - Екатеринбург, 2007. - 23 с. : ил.
2.
Метод анализа кривой термовысвечивания для линейного нагрева [Текст] : препринт / С.Д.Агриненко,А.Г.Алексеев,И.А.Бурлака,Н.А.Карпов. - Протвино, 1999. - 12 с. : ил. - (Препринт / Институт физики высоких энергий(Серпухов) ; ИФВЭ 99-61). - 130 экз.
3.
Furetta, C.
Thermoluminescence [Text] : сборник научных трудов / C.Furetta. - Bologna : [s. n.], 1998. - 62 p. : ill. - (La rivista del nuovo cimento. Ser.3-4, ISSN 0393-697X ; vol.21,N 2).
4.
Martini, M.
Thermally stimulated luminescence: new perspectives in the study of defects in solids [Text] : сборник научных трудов / M.Martini,F.Meinardi. - Bologna : [s. n.], 1997. - 71 p. : ill. - (La rivista del nuovo cimento. Ser.3-4, ISSN 0393-697X ; vol.20,N 8).
5.
Краткие сообщения по физике [Text] / Физический институт им. П.Н. Лебедева. - М. : [s. n.].
Вып.1. - 2001. - 45 с. - ISBN 5-201-09137-7.
6.
Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InPSn, облученных гамма-квантами [Текст] / М. И. Алиев [и др. ]. - // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С.5-7.
Аннотация: Методом термолюминесценции в легированных оловом и облученных гамма-квантами монокристаллах InP обнаружен пик люминесценции при 230 К с энергией активации 0, 19 эВ, приписанный комплексу "вакансия - антиструктурный примесный дефект донорного типа".
7.
Влияние соактивирования ионами Dy\{3+\} и Yb\{3+\} на эффективноcть запасания энергии в кристаллах Lu[2]SiO[5] : Ce\{3+\} [Текст] / А. А. Масалов [и др.]. - // Письма в журнал технической физики. - 2009. - Т. 35, вып. 4. - С.6-13.
Аннотация: Золь-гель методом синтезированы активированные церием и соактивированные кристаллы LSO : Ce, Dy и LSO : Ce, Yb. Показано, что введение ионов-соактиваторов (Yb и Dy) влияет на запасание энергии в LSO : Ce, что позволяет управлять его послесвечением и термолюминесценцией. Наблюдаемый эффект связан с электронными свойствами иона-соактиватора (донор или акцептор), которые обусловливают перезарядку электронных ловушек кристалла LSO.
8.
Роль глубоких ловушек в люминесценции анион-дефектных кристаллов альфа-Al[2]O[3]: C [Текст] / И. И. Мильман [и др. ]. - // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 11. - С.1919-1995.
Аннотация: Представлены результаты исследования глубоких ловушек, ответственных за термостимулированную люминесценцию при температурах около 703, 778, 830 и 903 K в монокристаллах анион-дефектного корунда альфа-Al[2]O[3]: C. Изучено влияние состояний заселенности этих ловушек носителями заряда обоих знаков на чувствительность к изучению основного термолюминесцентного пика при 450 K, оптически стимулированной люминесценции и фототрансферной термолюминесценции. Полученные результаты обсуждаются в рамках модели механизма интерактивного взаимодействия ловушек различной глубины.
