05.11.2009
Natalia Koz (МИФИ, Москва) asks a question:

Внутреннее облучение организма инкорпорированными радионуклидами (на примере любого радионуклида) например стронций и т.д

заранее спасибо)

06.11.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемая Наталия!

По Вашему запросу найдена следующая информация:

1.

Эффективная доза внутреннего облучения жителей наиболее загрязненных районов Брянской и Калужской областей [Текст] / В. Ф. Степаненко [и др.]. - // Атомная энергия. - 2007. - Т. 103, вып. 3. - С.192-196.

Аннотация: Начиная с 1986 г. в наиболее загрязненных районах Брянской и Калужской обл. проведены измерения содержаний \{137,134\}Cs в организме жителей. Получены данные, позволяющие оценить индивидуальную и среднюю эффективную дозу внутреннего облучения. Работа была поддержана калибровкой и верификацией измерительных средств и методик.

2.

Крышев, А. И.

Биологический перенос радионуклидов в экосистеме реки Енисей и оценка дозы облучения природной биоты [Текст] / А. И. Крышев. - // Известия высших учебных заведений. Ядерная энергетика. - 2007. - N 4. - С.31-39.

Аннотация: Разработана модель оценки накопления радионуклидов в пресноводных организмах. Модель применена для оценки уровней накопления и биологического переноса радионуклидов на различных уровнях экосистемы р. Енисей. Проанализированы особенности накопления радионуклидов в различных экологических группах рыб р. Енисей, включая хищные и мирные виды; выполнены модельные оценки переноса радионуклидов мигрирующими видами рыб. Проведены оценки доз внутреннего облучения водных организмов от инкорпорированных в тканях и органах радионуклидов.

25.10.2009
Роман ОВЧИННИК (МИФИ, Москва) asks a question:

я учусь в военном университете с авиационным профилем и мне необходимо писать работу бакалавра на тему:"Разработка предложений по совершенствованию решения штурманской задачи".Скажите,не могли бы вы посоветовать какую-нибудь литературу,связанную со штурманскими задачами,алгоритмами решения,классификацией и методиками решения????

28.10.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемый Роман!

По Вашему запросу найдена следующая информация. Полные тексты данных статей доступны на нашем сайте в разделе «Труды научных сессий МИФИ», либо через электронные каталоги библиотеки (поиск по автору или заглавию статьи). В статьях также приведены списки литературы по данной теме.

1.

Бушин, C.В.

Классификация штурманских задач перехвата и единый подход к их решению [Текст] / C.В. Бушин, Н.А. Крицына, Ю.П. Кулябичев. - // Научная сессия МИФИ - 2006. Сборник научных трудов. - М. : МИФИ, 2006. - Т.12: Информатика и процессы управления. Компьютерные системы и технологии. - С. 79-80

2.

Бушин, C.В.

Решение задачи наведения методом «маневр» с использованием аппроксимирующего программирования [Текст] / C.В. Бушин, Н.А. Крицына, Ю.П. Кулябичев. - // Научная сессия МИФИ - 2005. Сборник научных трудов. - М. : МИФИ, 2005. - Т.12: Информатика и процессы управления. Компьютерные системы и технологии. - С. 14-15

3.

Бушин, С. В.

Решение штурманской задачи с учетом изменения массы самолета [Text] / С.В.Бушин, Н.А.Крицына, Ю.П.Кулябичев. - // Научная сессия МИФИ - 2004. Сборник научных трудов. - М., 2004. - Т.12: Информатика и процессы управления. Компьютерные системы и технологии. - С. 14-15

4.

Бушин, С. В.

Оптимальный маневр резервами авиации с целью усиления обороны [Text] / С.В.Бушин, Н.А.Крицына, Ю.П.Кулябичев. - // Научная сессия МИФИ - 2003. Сборник научных трудов. - М., 2003. - Т.12: Информатика и процессы управления. Компьютерные системы и технологии. - С. 30-31

5.

Бушин, С. В.

Формирование оптимального профиля полета истребителя -перехватчика на основе линейного программирования [Text] / С.В. Бушин, Крицына Н.А., Кулябичев Ю.П. - // Научная сессия МИФИ - 2002. Сборник научных трудов. - М., 2002. - Т.12: Информатика и процессы управления. - С. 18-19

20.10.2009
ДМИТРИЙ БАХИТОВ (МИФИ, Москва) asks a question:

как мне найти ФХОМ №1 2005 год. и Инж. Физик. Т1 Т2 2000г.??

22.10.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемый Дмитрий!

Журнал "Физика и химия обработки материалов" (№1, 2005) находится в научном читальном зале (корп. К, 7 этаж), журнал "Инженерная физика" (№1, 2, 2000) - в научно-библиографическом отделе (главный корпус, 3 этаж).

18.10.2009
дина БАЖЕНОВА (МИФИ, Москва) asks a question:

описание армов локомотивного депо

19.10.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемая Дина!

По Вашему запросу найдена следующая информация:

1.

"АРМ наряд" помогает в работе [Текст]. - // Автоматика, связь, информатика. - 2009. - N 5. - С.43

Аннотация: Предложена программа, предназначенная для оптимизации учета и контроля взаимодействия сотрудников производственных цехов и абонентского отдела, которую используют в Горьковском РЦС.

2.

Фарафонтов, В. В.

Централизация технического обслуживания устройств АСК ПС [Текст] / В. В. Фарафонтов. - // Автоматика, связь, информатика. - 2008. - N 11. - С.35-36 : ил.

Аннотация: На Калужском отделении Московской железной дороги была принята в постоянную эксплуатацию автоматизированная система контроля подвижного состава АСК ПС.

3.

Сорокин, В. И.

Оборудование для аналоговых сетей [Текст] / В. И. Сорокин, П. А. Смирнов. - // Автоматика, связь, информатика. - 2008. - N 11. - С.45-46 : рис.

Аннотация: Распорядительная станция РСДТ-У, изготовляемая научно-производственной фирмой "Электротехника" (г. Брянск), предоставляет абонентам полный набор современных сервисов.

4.

Никитин, С. М.

АРМ поездного диспетчера ДЦ "Сетунь" [Текст] / С. М. Никитин. - // Автоматика, связь, информатика. - 2007. - N 1. - С. 20-22. - Ил.: 4 рис.

Аннотация: Рассмотрен АРМ поездного диспетчера ДЦ "Сетунь".

5.

Лупанов, Д. А.

Внедрение модуля АСУ ЦСВТ "Мониторинг работы серверов" [Текст] / Д. А. Лупанов. - // Автоматика, связь, информатика. - 2007. - N 1. - С. 7-11. - Ил.: 4 рис.

Аннотация: Представлен модуль АСУ ЦСВТ как инструмент управления процессами эксплуатации информационных систем, применяемый на Горьковской железной дороге.

09.10.2009
Assel Yermukanova (МИФИ, Москва) asks a question:

аппаратно-программные хранлища. Александров А. аннотация

13.10.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемая Assel!

Данная статья находится в научном читальном зале библиотеки (корп. К, 7 этаж):

Александров, А.

Аппаратно-программные хранилища [Текст] / А. Александров. - // Открытые системы. СУБД. - 2007. - N 5. - С. 40-47.

Аннотация: В условиях, когда вся совокупность сведений о компании представлена в данных, их хранилища становятся едва ли не главным ее стратегическим активом: для поддержки и анализа результатов деятельности необходимо, чтобы оперативно доступно было все больше информации. Системы, построенные на основе универсальных технологий, оказываются перед этим вызовом слишком жесткими и дорогостоящими, поэтому появление специализированных аппаратно-программных решений, которые предлагают как начинающие компании, так и лидеры рынка, указывает на зарождение новой архитектуры платформ хранилищ данных.

07.10.2009
Pryakhin Alexander (МИФИ, Москва) asks a question:

Добрый день!

Недавно я зашел в АУЛ, посмотрел в поиске нужную книгу, записал номер, дождался очереди, после 10 минут поиска, сотрудник библиотеки так и не нашел нужной книги сославший на то что тот отдел затопило по весне, хотя при поиске было указано 200 с лишнем экземпляров.

Вопрос такой: неужели ничего не осталось, куда вы деваете литературу ? Продаёте, а потом говорите что её затопило ?

Пожалуйста прокоментируйте ситуацию, а лучше примите действия.

09.10.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемый Alexander!

Мы проанализировали ситуацию. Вы обращались за изданием:

681.3

Г37

Герасимов, В. Ф.

Лабораторный практикум "Микропроцессорный стенд-контроллер К1804" [Текст] : учеб.пособие / Герасимов В.Ф. - М. : МИФИ, 1990. - 36 с. -

ГРНТИ 50

УДК 681.325.5-181.48(076.5)

Рубрики: Вычислительная техника

Кл.слова (ненормированные):

микропроцессоры -- стенд-контроллер к1804 -- автор мифи

Экземпляры всего: 35 : АУЛ (29), КНХР (5), НБО (1)

Свободны: АУЛ (29), КНХР (5), НБО (1)

По каталогу на абонементе учебной литературы числится 29, а не 200 экземпляров данного издания. На них подготовлен акт списания, так как книга издана в 1990 г. и не рекомендуется преподавателями для использования в учебном процессе в соответствии с требованиями Министерства образования к степени устареваемости учебной литературы (10 лет). Контрольный экземпляр данного издания, конечно, в библиотеке есть, и его Вы можете заказать из фонда книгохранения (КНХР) в любой читальный зал. Это Вам и было предложено заведующим абонементом учебной литературы при Вашем обращении.

30.09.2009
залина гагиева (МИФИ, Москва) asks a question:

применение ионообменной технологии в металлургии

01.10.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемая Залина!

Извините, Вы не являетесь читателем библиотеки. Ваши данные не прошли идентификацию в базе данных «Читатели». Если это ошибка, уточните Ваши фамилию, имя, штрих-код.

28.09.2009
Mikhail Ивандиков (МИФИ, Москва) asks a question:

Преобразование тепловых потерь в двигателях внутреннего сгорания в работу. Механизмы и способы

01.10.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемый Mikhail!

Извините, Вы не являетесь читателем библиотеки. Ваши данные не прошли идентификацию в базе данных «Читатели». Если это ошибка, уточните Ваши фамилию, имя, штрих-код.

24.09.2009
Victoria Bondarenko (МИФИ, Москва) asks a question:

Здравствуйте! Подскажите, пожалуйста, литературу на тему - фотолюминесценция тонких диэлектрических пленок, методика получения фотолюминесценции, и статьи, связанные с рассмотрением фотолюминесценции в структуре Si-SiO2, и если еще можно, то подсказать сайти, где их можно найти.

30.09.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемая Victoria!

Данные статьи находятся в научном читальном зале библиотеки:

1.

Бачериков, Ю. Ю

Влияние быстрого термического отжига на свойства тонких диэлектрических пленок оксидов гадолиния, титана и эрбия на поверхности карбида кремния [Текст] / Ю. Ю. Бачериков [и др. ]. - // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 2. - С. 107-112. - Библиогр.: c. 111-112 (15 назв. )

Аннотация: Методами атомно-силовой микроскопии, монохроматической эллипсометрии, оптического поглощения и фотолюминесценции исследовано влияние быстрого термического отжига (БТО) на свойства пленок оксидов Ti, Ga, Er на карбиде кремния. Проведен также анализ атомарного состава исследуемых пленок в зависимости от времени БТО. Показано, что в зависимости от времени БТО можно изменять фазовый состав пленок оксидов Ti, Ga, Er на карбиде кремния.

2.

Оптимизация состава и условий синтеза синих люминофоров [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu{2+} [Текст] / Н. Т. Гурин [и др. ]. - // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 9. - С.152-154. - ISSN 0044-4642. - Библиогр.: c. 154 (9 назв. )

Аннотация: Показано, что в системе [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu{2+} с различным содержанием европия наблюдается интенсивная синяя и сине-фиолетовая фотолюминесценция, причем при возбуждении гелий-кадмиевым лазером с длиной волны 325 nm максимумы спектров синих люминофоров лежат в области 419-439 nm, а при возбуждении импульсным азотным лазером с длиной волны 337 nm - в области 429-461 nm. Оптимальными для получения основного синего цвета телевизионных стандартов EBU и NTSC являются люминофор [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu (3 mol%) (x=0. 151, y=0. 062), возбуждаемый излучением гелий-кадмиевого лазера, и люминофор того же состава, прошедший дополнительный вакуумный отжиг и возбуждаемый излучением азотного лазера (x=0. 145, y=0. 084) соответственно. Максимальную интенсивность свечения до и после отжига в вакууме показали люминофоры состава [ ( B[2]O[3]) [0. 5] ( Al[2]O[3]) [0. 5]]*2 SiO[2]: Eu (7 mol%).

3.

Усиление фотолюминесценции структур с нанокристаллическим кремнием, стимулированное низкодозовым гамма-облучением [Текст] / И. П. Лисовский [и др.]. - // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С.591-594. - ISSN 0015-3222

Аннотация: Проведено исследование спектров инфракрасного поглощения и фотолюминесценции тонкопленочных структур nc-Si/SiO[2] с нанокристаллическим кремнием (nc-Si), подвергнутыx ионизирyющему облучению (\{60\]Co) в диапазоне доз 10{4}-10{7} рад. Впервые показано, что малые дозы облучения (5•10\{4\]} меньше D меньше 10\{5\} рад) приводят к заметному (до 40%) росту интенсивности полосы фотолюминесценции при 1>33 эВ. Инфракрасные спектры свидетельствуют об отсутствии изменения состава и структуры нанокомпозита. Обнаруженный эффект объяснен структурным упорядочением границы раздела нанокристалл-матрица, стимулированным низкодозовым облучением, т. е. устранением дефектов (рекомбинационных центров) на границах раздела nc-Si--SiO[2] и вследствие этого усилением излучательного канала рекомбинации.

4.

Влияние электрического поля при получении пленок a-SiO[x] : H[угловая скобка]Er,O[угловая скобка] методом магнетронного распыления на постоянном токе на их состав и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия [Текст] / Ю. К. Ундалов [и др.]. - // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 11. - С.1357-1362

Аннотация: Исследовано влияние электрического поля на элементный состав и фотолюминесценцию пленок аморфного гидрогенизированного кремния, легированного эрбием и кислородом (a-SiO[x] : H[угловая скобка]Er,O[угловая скобка]), при получении их методом магнетронного распыления на постоянном токе. Изучались две серии пленок в зависимости от напряженности электрического поля магнетрона, от площади металлической эрбиевой мишени и от содержания кислорода в рабочей камере. Первая серия пленок была получена при электрически изолированном подложкодержателе, вторая - при положительном потенциале на подложкодержателе относительно катода. Показано, что, хотя характер изменения элементного состава и интенсивность фотолюминесценции ионов эрбия Er\{3+\} в пленках двух серий значительно различаются, в обоих случаях они, в итоге, определяются процессами распыление-окисление Si- и Er-мишений, являющихся катодом.

5.

Влияние химической обработки на спектры фотолюминесценции слоев SiO[x] с включениями нанокристаллов Si [Текст] / И. З. Индутный [и др.]. - // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С.1265-1271. - ISSN 0015-3222

Аннотация: Исследовано влияние химической обработки в насыщенных парах аммиака и ацетона на спектральный состав и интенсивность фотолюминесценции в пористых пленках SiO[x], содержащих нанокристаллы кремния (nc-Si). Пористость пленок SiO[x] обеспечивалась наклонным осаждением термически испаренного в вакууме кремния или его монооксида на полированные кремниевые подложки. Кинетика адсорбции паров контролировалась по изменению частоты кварцевого осциллятора, на который наносились исследуемые пленки.

6.

Данишевский, А. М.

Фотолюминесценция слоев SiO[2], приготовленных на пленках бета-SiO[2], и анализ их элементного состава [Текст] / А. М. Данишевский [и др. ]. - // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 5. - С. 791-797. - Библиогр.: с. 797 (18 назв. )

Аннотация: Исследуются спектры импульсной, разрешенной во времени фотолюминесценции окисленных слоев, полученных электрохимическим окислением на пленках SiC/Si. Анализ их элементного состава, проведенный с помощью методов обратного резерфордовского рассеяния и ядерных реакций, показал, что в окисле остается определенная часть атомов углерода. Особенности параметров спектральных полос и их кинетик во времени связываются авторами именно с наличием равномерно распределенного в окисле углерода. с использованием электронной микроскопии изучены структуры окислов при различных длительностях окисления. Сделаны заключения о возможных центрах излучения фотолюминесценции.

Тексты следующих статей можно заказать на странице сайта library.mephi.ru/2/edd

1.

Chen En-guang

Влияние водородной пассивации на интенсивность фотолюминесценции нанокристаллов Si/Yi Li-xin, Wang Shen-wei,

Liu Rao-ping, Su Meng-chan, Tang Ying, Wang Yong-sheng: Guangpuxue yu guangpu fenxi. 2008. 28, N 2, с. 246-248. Кит.; рез. англ. ISSN 1000-0593

Аннотация: На подложках Si реактивным осаждением получены сверхрешетки SiO/SiO[2], которые после высокотемпературного отжига в атмосфере азота имплантированы ионами Н{+} с дозой 3,0*10{14} см{-2} и 3,0*10{15} см{-2}. Интенсивность спектров фотолюминесценции (ФЛ) имплантированных образцов резко уменьшается по сравнению с неимплантированными. Интенсивность ФЛ постепенно увеличивается с повышением температуры отжига и даже может превысить интенсивность неимплантированных образцов, если доза Н{+} достаточно велика. Дальнейшие исследования доказывают, что изменения интенсивности ФЛ зависят от плоскостной плотности дефектов в образцах, а последняя зависит от дозы Н{+} и температуры отжига.

2.

Mchedlidze T.

Влияние подложки, структуры и процедур отжига на кристаллические и оптические свойства множественных квантовых ям Si/SiO[2]. Influence of a substrate, structure and annealing procedures on crystalline and optical properties of Si/SiO[2] multiple quantum wells/Arguirov T., Kouteva-Arguirova S., Jia G., Kittler M., Rolver R., Berghoff B., Forst M., Batzner D. L., Spangenberg B.: Thin Solid Films. 2008. 516, N 20, с. 6800-6803. Англ. ISSN 0040-6090

Аннотация: Основными параметрами, влияющими на качество нанокристаллического Si, образованного после отжига множественных квантовых ям (КЯ) Si/SiO[2], являются материал подложки, число периодов Si/SiO[2], толщина и состав слоев и процедура отжига. С помощью спектроскопии комб. рас. и спектроскопии фотолюминесценции исследованы свойства квантовых ям. Наблюдаются сильные напряжения, предотвращающие полную кристаллизацию нанокристаллич. слоев Si в ямах. Величина и знак напряжений могут быть определены по спектральному положению и полуширине максимумов комб. рас. Параметры напряжений могут быть значительно изменены пути замены типа подложки и/или структуры КЯ.

3.

Das G.

Тонкие пленки нанокристаллы Si/SiO[2], полученные пиролизом золь-гель прекурсоров. Si-nanocrystals/SiO[2] thin films obtained by pyrolysis of sol-gel precursors/Ferraioli L., Bettotti P., De Angelis F., Mariotto G., Pavesi L., Di Fabrizio E., Soraru G. D.: Thin Solid Films. 2008. 516, N 20, с. 6804-6807. Англ. ISSN 0040-6090

Аннотация: Методом пиролиза получены тонкопленочные фотолюминесцентные образцы, состоящие из нанокристаллов Si, диспергированных в матрице. Образцы осаждаются на пластину Si методом центрифугирования из триэтоксисилана, полученного методом золь-гель, а затем подвергаются отжигу при температурах 600-1300 ГРАДУС C в атмосфере N[2]. С помощью ИК-спектроскопии с фурье-преобразованием и фотолюминесценции исследована зависимость структуры и люминесценции нанокристаллов Si от температуры. Спектр поглощения свежеполученных образцов содержит несколько колебательных полос, связанных со структурными группами Si-H, C-Hx и Si-O-Si. Сегрегация фазы SiO[2] и интенсивная фотолюминесценция нанокристаллов Si наблюдаются при температурах отжига более 1000 ГРАДУС C.

24.09.2009
Alexander Pryakhin (МИФИ, Москва) asks a question:

Подскажите пожалуста кто такая Екатерина Старцева ?)

29.09.2009
Библиограф (MEPhI, Moscow) answers:

Уважаемый Alexander!

На вопросы отвечают сотрудники научно-библиографического отдела библиотеки.